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晶振系列

首頁(yè)進(jìn)口晶振大河晶振,FCX-07L晶振,1612晶振,貼片晶振

    大河晶振,FCX-07L晶振,1612晶振,貼片晶振

  • 規(guī)格型號(hào)：83004073
  • 頻率：24.000MHZ-80.000MHZ
  • 尺寸：1.6*1.2*0.33mm 詳細(xì)資料請(qǐng)查看PDF
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  • 產(chǎn)品描述：廣泛適用于監(jiān)視攝像機(jī),醫(yī)用血液細(xì)胞分析儀,智能手環(huán),激光打印機(jī),臺(tái)式電腦主板等電子產(chǎn)品.

大河晶振,FCX-07L晶振,1612晶振,貼片晶振
參數(shù):頻率范圍24.000MHZ-80.000MHZ
激勵(lì)電平: 10μW (Max.100μW )
負(fù)載電容:5PF~7PF
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -40℃~+85℃
精度±7ppm,±10ppm,±15ppm,±20ppm,±30ppm,±50ppm
捆包單位：3000pcs/捆
尺寸：超級(jí)小體積1.6*1.2*0.33mm
應(yīng)用：電視游戲機(jī)，全自動(dòng)多功能玩具，電子自動(dòng)釣魚機(jī)，袖珍收音機(jī)，LED臺(tái)燈等產(chǎn)品。

       公司在2008年開(kāi)發(fā)的晶體FCX-07的體積與1989年開(kāi)發(fā)的晶體FCX-01相比，實(shí)現(xiàn)了1／160的超小型化。RIVER ELETEC的技術(shù)開(kāi)創(chuàng)了水晶元器件的新市場(chǎng)。電子光束封蓋法”是劃時(shí)代的高端技術(shù)，是RIVER ELETEC技術(shù)力量的佐證，憑借這一尖端的技術(shù)，我們成功地開(kāi)發(fā)出世界最小級(jí)別的水晶振動(dòng)子FCX-07。我們水晶片的設(shè)計(jì)及精細(xì)的加工技術(shù)、高精度的裝載技術(shù)等，也都以其新活的創(chuàng)意和廣泛的應(yīng)用而發(fā)揮著巨大作用，這種技術(shù)作為生產(chǎn)小型、 高性能產(chǎn)品的力量已日臻成熟。


       大河晶振,FCX-07L晶振,1612晶振,貼片晶振，表面貼片式金屬外殼四腳1612mm封裝石英晶體諧振器是日本大河晶振中體積最小的一款，采用天然無(wú)鉛環(huán)保材料，在保證高效的性能和優(yōu)良的品質(zhì)的同時(shí)，也符合了歐盟的ROHS規(guī)定，FCX-07L晶振是一款環(huán)保晶振，四個(gè)腳的設(shè)計(jì)可適用現(xiàn)在大多數(shù)電子產(chǎn)品的焊盤腳位，編帶式的包裝可對(duì)應(yīng)全自動(dòng)貼片機(jī)器設(shè)備的高速自動(dòng)安裝。

大河晶振型號(hào) FCX-07L晶振,智能手石英晶振
頻率范圍 24.000MHZ~80.000MHZ
頻率公差(25℃) ±7ppm,±10ppm,±15ppm,±20ppm,±30ppm,±50ppm
頻率穩(wěn)定度超過(guò)工作溫度范圍 ±10ppm,±15ppm,±20ppm,±30ppm,±50ppm 可指定
操作溫度范圍 -40~+ 85℃，可指定
并聯(lián)電容CO 5pF Max.
驅(qū)動(dòng)電平 1-200μW（μW200典型）
負(fù)載電容 5pF~7pF,可指定
老化（25℃） ±3 ppm /年最大。
存儲(chǔ)溫度范圍 -40~+85℃



1.操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具，夾具直接接觸晶振的表面。
2.使用環(huán)境（溫度和濕度）
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用產(chǎn)品。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
3.激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力，會(huì)導(dǎo)致石英晶體諧振器特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 （請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。
4.負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。
5.負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整，可能只會(huì)導(dǎo)致SMD晶振不正常的振蕩。在使用之前，請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。

1. 驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明諧振晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2.Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
 
2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。
注意事項(xiàng)-振蕩補(bǔ)償.png
3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
電容特征.png
頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考.png
                           振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

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