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晶振系列

首頁進(jìn)口晶振RIVER晶振,FCXO-06晶振,2016晶振,日本大河晶體

    RIVER晶振,FCXO-06晶振,2016晶振,日本大河晶體

  • 規(guī)格型號(hào):67867587
  • 頻率:1.000MHZ-80.000MHZ
  • 尺寸:2.0*1.6*0.8mm 詳細(xì)資料請(qǐng)查看PDF
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  • 產(chǎn)品描述:廣泛應(yīng)用于DVD視頻刻錄機(jī),數(shù)字采編系統(tǒng),多媒體視頻播放器,電子辭典學(xué)習(xí)機(jī),閃存卡拷貝機(jī),移動(dòng)無線通信等IT產(chǎn)品.

RIVER晶振,FCXO-06晶振,2016晶振,日本大河晶體
參數(shù):頻率范圍1.000MHZ-80.000MHZ
電源電壓: 1.8V
負(fù)載電容: 15PF
工作溫度: -40℃~+85℃

保存溫度: -40℃~+105℃
精度 ±7ppm,±10ppm,±15ppm,±20ppm,±30ppm,±50ppm,
輸出方式:CMOS輸出 
尺寸:超級(jí)小型化2.0*1.6*0.8
應(yīng)用:數(shù)碼攝像頭,單反數(shù)碼攝影機(jī),DAB掌上數(shù)字電視,數(shù)碼錄音筆,網(wǎng)絡(luò)游戲設(shè)備,數(shù)碼印像機(jī)等產(chǎn)品。

       西安大河晶振科技有限公司公司由資深日籍華人創(chuàng)辦,秉承“引進(jìn)世界先進(jìn)技術(shù),推動(dòng)祖國現(xiàn)代進(jìn)程”的理念,把日本電子行業(yè)最優(yōu)秀的River晶振帶到中國。產(chǎn)品主要面向中國高速發(fā)展的通訊制造業(yè)、IT業(yè)。致力于為中國市場(chǎng)提供世界上最先進(jìn)的電子元器件產(chǎn)品和完善的IC解決方案。
       公司以提高用戶滿意度為目標(biāo),不斷推進(jìn)集團(tuán)整體業(yè)務(wù)的發(fā)展。讓用戶滿意,就是讓使用裝有本公司產(chǎn)品的手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等電子設(shè)備的廣大用戶滿意。我們深知這一點(diǎn),因而更加努力向目標(biāo)邁進(jìn)。由于小型石英水晶振子在信息通信中是必不可少的部件,因此上述理念已深深植入于本公司每個(gè)員工的心中。


       RIVER晶振,FCXO-06晶振,2016晶振,日本大河晶體,是日本進(jìn)口品牌大河晶振中有源晶振的較小的一款,但它的性能絕不受2016mm小體積的影響,能承受240℃的高溫回流焊接,能在零下40℃的條件下振動(dòng),優(yōu)良的穩(wěn)定性使FCXO-06晶振可以在嚴(yán)酷的環(huán)境下持續(xù)工作,在周圍溫度忽高忽低的時(shí)候?qū)匮a(bǔ)控制在標(biāo)準(zhǔn)的精度之內(nèi),擁有良好的可靠性。

大河晶振型號(hào)/輸出類型 FCXO-06晶振,大河有源晶振
晶振類型 OSC振蕩器
輸出負(fù)載 15pF
振蕩模式 基本/第三泛音
電源電壓 1.8V
頻率范圍 1.000MHZ-80.000MHZ
頻率穩(wěn)定度 ±7ppm,±10ppm,±15ppm,±20ppm,±30ppm,±50ppm
工作溫度  - 40 ~ + 85℃
保存溫度  - 40 ~ + 105℃
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) 0.1 VDD / 0.9 VDD
啟動(dòng)時(shí)間 5 ms Max.
相位抖動(dòng)(12千赫?20兆赫) 1個(gè)PS最大。
老化率 ±3 ppm /年最大。



1.自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊
自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)石英晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保晶體產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。

2.操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸SMD晶振的表面。
3.使用環(huán)境(溫度和濕度)
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用產(chǎn)品。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
4.耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接貼片晶振產(chǎn)品,建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度,會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。

輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表


2.    測(cè)試條件
(1)   電源電壓
    超過 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
    電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)   其他
   輸入電容低于 15 pF
   5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
   鉛探頭應(yīng)盡可能短。
   測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過石英晶體振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)   其他
    CL包含探頭電容。
    應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
    使用微型插槽,以觀察波形。
(請(qǐng)勿使用該探頭的長接地線。)

3.    測(cè)試電路

FCXO-06 :在頻率電壓控制功能時(shí),進(jìn)行連接       
1CMOS 負(fù)載
型號(hào):

FCXO-06
         
2 抗低,電容負(fù)載
型號(hào):

FCXO-06
·               
3 TTL 負(fù)載
型號(hào):

FCXO-06 
·   
4 LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

FCXO-06
·            
5LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

FCXO-06
 
6 LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

FCXO-06
 
7 LVDS 負(fù)載
型號(hào):

FCXO-06
 
8 HCSL 負(fù)載
型號(hào):

FCXO-06
 

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進(jìn)口晶振,晶振廠家,32.768K晶振,16mm微孔霧化片,2.4M陶瓷霧化片,KDS溫補(bǔ)晶振,精工SSP-T7-F晶振,TXC晶振,大真空DST310S晶振,愛普生晶振MC-146,SC-32S晶振,3225貼片晶振,西鐵城晶振,TO-39聲表面濾波器,進(jìn)口京瓷晶振,陶瓷晶振,FA-20H石英晶振,西鐵城晶振CM315,LVDS差分晶振,恒溫晶振,美國進(jìn)口晶振,VCXO壓控晶振,耐高溫晶振
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