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晶振系列

首頁(yè)進(jìn)口晶振NDK原裝進(jìn)口晶振,NP5032SA晶振,LVPECL輸出晶振,NP5032SB晶振

    NDK原裝進(jìn)口晶振,NP5032SA晶振,LVPECL輸出晶振,NP5032SB晶振

  • 規(guī)格型號(hào)：38713087
  • 頻率：100.000~161.000MHZ
  • 尺寸：5.0*3.2*1.2mm詳細(xì)資料參考PDF
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  • 產(chǎn)品描述：電源電壓為3.3V,LVPECL輸出.優(yōu)良的低消耗電流及優(yōu)良的低相位抖動(dòng)功能適用于通信電子設(shè)備...

日本NDK株式會(huì)社

1948 年  在東京都中央?yún)^(qū)日本橋設(shè)立南部商工株式會(huì)社

1949 年  開(kāi)始晶體諧振器的制造、銷(xiāo)售

1950 年  公司名變更為日本電波工業(yè)株式會(huì)社

          總公司遷移登記至東京都涉谷區(qū)大山町

1954 年  建設(shè)、遷移總公司及工廠至東京都涉谷區(qū)代代木新町（現(xiàn)為 涉谷區(qū)西原）

1959 年  開(kāi)始晶體濾波器的制造

1960 年  開(kāi)始晶體振蕩器的制造

1962 年  著手在崎玉縣狹山市建立新工廠（現(xiàn)為 狹山事業(yè)所）

1963 年  在狹山事業(yè)所建成人工水晶工廠、開(kāi)始人工水晶的制造

          在狹山事業(yè)所建成水晶切斷工廠

          在日本證券業(yè)協(xié)會(huì)進(jìn)行店面登記

1964 年  在狹山事業(yè)所建成組裝工廠

          在大阪府大阪市設(shè)立大阪辦事處

1970 年  在新瀉縣新瀉市建立Hawk Denshi株式會(huì)社（現(xiàn)為 新瀉NDK）

1975 年  在美國(guó)加利福尼亞州設(shè)立美國(guó)辦事處

1976 年  在宮城縣古川市（現(xiàn)為 大崎市）建立古川NDK株式會(huì)社

1979 年  在馬來(lái)西亞建立Asian NDK Crystal Sdn. Bhd.

        日本進(jìn)口NDK晶振官網(wǎng):http://xwpc.com.cn/NDKQuartzcrystal/

　　金洛電子代理供應(yīng)NDK原裝進(jìn)口晶振,NP5032SA晶振,LVPECL輸出晶振,NP5032SB晶振,尺寸為5.0*3.2*1.2mm,電源電壓為2.8V或3.3V,LVPECL輸出型號(hào)為NP5032SA,LVDS輸出型號(hào)NP5032SB.優(yōu)良的低消耗電流及優(yōu)良的低相位抖動(dòng)功能適用于通信電子設(shè)備.更多相關(guān)資請(qǐng)登陸官網(wǎng):http://xwpc.com.cn   





           晶振是一種易碎元器件，晶振的保護(hù)也是個(gè)很大的問(wèn)題.下面例舉些對(duì)于晶振的保存方式.
1.首先要考慮其周?chē)某睗穸?，做好防擠壓措施，放在干燥通風(fēng)的地方，使其晶體避免受潮導(dǎo)致其他電氣參數(shù)發(fā)生變化.
2.其次對(duì)于易碎的晶振器件要做好防震措施，不宜放在較高的貨架上，在使用的過(guò)程，也不宜使晶振跌落，一般來(lái)說(shuō)，從高空跌落的晶振不應(yīng)再次使用.
3.在晶振焊錫過(guò)程中，其焊錫的溫度不宜過(guò)高，焊錫時(shí)間也不宜過(guò)長(zhǎng)，防止晶體因此發(fā)生內(nèi)變，而產(chǎn)生不穩(wěn)定.
4.晶振外殼需要接地時(shí)，應(yīng)該確保外殼和引腳不被意外連通而導(dǎo)致短路.從而導(dǎo)致晶體不起振.
5.保證兩條引腳的焊錫點(diǎn)不相連，否則也會(huì)導(dǎo)致晶體停振.
6.對(duì)于需要剪腳的晶振，應(yīng)該注意機(jī)械應(yīng)力的影響.
7.焊錫之后，要進(jìn)行清洗，以免絕緣電阻不符合要求.

設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)

　　1.    驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
　    驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re
 其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
注意事項(xiàng)-驅(qū)動(dòng)能力.png
 
2.    振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。
注意事項(xiàng)-振蕩補(bǔ)償.png
3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
 
電容特征.png
          

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