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首頁金洛博客 亞陶編碼FQ1200007是一種有著極強耐壓性和微型貼片的石英晶體,常用于數(shù)碼相機和智能手機,ECERA高質(zhì)量晶振

亞陶編碼FQ1200007是一種有著極強耐壓性和微型貼片的石英晶體,常用于數(shù)碼相機和智能手機,ECERA高質(zhì)量晶振

來源:http://xwpc.com.cn 作者:lzf 2022年07月13

百利通亞陶公司為臺灣知名晶體元器件制造商,通過自身的努力與信念,成為了杰出的上市集團公司,其中離不開其敢于克服每一次所遇到的困難,并且懂得在困難中找到最優(yōu)的解決方案,付諸于行動,反思自身不足之處,并快速補足補足之處,才有如今的Diodes公司,每一步走來看似很簡單,實則可謂用心到極致,不斷成長與創(chuàng)新能力,是亞陶的發(fā)展重要之道.專注于研發(fā)設(shè)計生產(chǎn)高質(zhì)量的石英晶體諧振器,有源晶振,溫補振蕩器等系列產(chǎn)品線,并確保所生產(chǎn)的產(chǎn)品質(zhì)量,以完美狀態(tài)呈現(xiàn)給每一位用戶,并以高于用戶期待要求自身。亞陶編碼FQ1200007是一種有著極強耐壓性和微型貼片的石英晶體,常用于數(shù)碼相機和智能手機,ECERA高質(zhì)量晶振

FL3200022 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 32MHz ±10ppm
FL1200135 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 12MHz ±50ppm
FL1200135 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 12MHz ±50ppm
FL1200135 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 12MHz ±50ppm
FL1200060 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 12MHz ±30ppm
FL1200060 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 12MHz ±30ppm
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FL1840007 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 18.432MHz ±20ppm
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FL1600043 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 16MHz ±10ppm
FL1600043 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 16MHz ±10ppm
FL1600043 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 16MHz ±10ppm
FL2000038 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 20MHz ±10ppm
FL2000038 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 20MHz ±10ppm
FL2000038 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 20MHz ±10ppm
FL2500047 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 25MHz ±20ppm
FL2500047 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 25MHz ±20ppm
FL2500047 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 25MHz ±20ppm
FL1600080 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 16MHz ±10ppm
FL1600080 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 16MHz ±10ppm
FL1600080 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 16MHz ±10ppm
Diodes Incorporated (Nasdaq: DIOD), a Standard and Poor's Smallcap 600 and Russell 3000 Index company, is a leading global manufacturer and supplier of high-quality application-specific standard products within the broad discrete, logic, analog, and mixed-signal semiconductor markets. Diodes serves the consumer electronics, computing, communications, industrial, and automotive markets.Diodes Incorporated (Nasdaq: DIOD) 是標(biāo)準(zhǔn)普爾小型股 600指數(shù)和羅素3000指數(shù)公司,是廣泛的分立、邏輯、模擬和混合信號半導(dǎo)體領(lǐng)域的高質(zhì)量有源晶振專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的全球領(lǐng)先制造商和供應(yīng)商市場。Diodes服務(wù)于消費電子、計算、通信、工業(yè)和汽車市場。
FL3740009 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 37.4MHz ±15ppm
FL3740009 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 37.4MHz ±15ppm
FL3740009 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 37.4MHz ±15ppm
FL1200138 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 12MHz ±50ppm
FL1200138 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 12MHz ±50ppm
FL1200138 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 12MHz ±50ppm
FL2500213Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 25MHz ±20ppm
FL2500213Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 25MHz ±20ppm
FL2500213Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 25MHz ±20ppm
FQ2500016 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FQ MHz Crystal 25MHz ±20ppm
FQ2500016 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FQ MHz Crystal 25MHz ±20ppm
FQ2500016 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FQ MHz Crystal 25MHz ±20ppm
FQ1200007 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FQ MHz Crystal 12MHz ±30ppm
FQ1200007 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FQ MHz Crystal 12MHz ±30ppm
FQ1200007 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FQ MHz Crystal 12MHz ±30ppm
FL2500316Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 25MHz ±20ppm
FL2500316Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 25MHz ±20ppm
FL2500316Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FL MHz Crystal 25MHz ±20ppm
FY2500016 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FY MHz Crystal 25MHz ±30ppm
FY2500016 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FY MHz Crystal 25MHz ±30ppm
FY2500016 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FY MHz Crystal 25MHz ±30ppm
US3200005Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ US MHz Crystal 32MHz ±10ppm
US3200005Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ US MHz Crystal 32MHz ±10ppm
Diodes公司總部和美洲銷售辦事處位于德克薩斯州普萊諾和加利福尼亞州米爾皮塔斯。設(shè)計、營銷和工程中心位于普萊諾;米爾皮塔斯;臺北、桃園市、竹北市、臺灣;上海,揚州,中國;英格蘭奧爾德姆;和德國諾伊豪斯。百利通亞陶晶振公司(納斯達克股票代碼:DIOD)推出了一系列采用節(jié)省空間、熱效率高的 TOLL (PowerDI ® 1012-8) 封裝的汽車 MOSFET。能夠在 175°C 下工作,額定電壓為 100V 的DMTH10H1M7STLWQ和DMTH10H2M5STLWQ以及額定電壓為 80V 的DMTH8001STLWQ MOSFET 占用的 PCB 面積比 TO263 少 20%。這些器件的板外輪廓僅為 2.4 毫米。這使得它們非常適合用于高可靠性電源應(yīng)用,例如能量回收、集成啟動交流發(fā)電機和配備電池的車輛中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
US3200005Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ US MHz Crystal 32MHz ±10ppm
FP0800056Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FP MHz Crystal 8MHz ±30ppm
FP0800056Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FP MHz Crystal 8MHz ±30ppm
FP0800056Z Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FP MHz Crystal 8MHz ±30ppm
FH1840004 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FH MHz Crystal 18.432MHz ±30ppm
FH1840004 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FH MHz Crystal 18.432MHz ±30ppm
FH1840004 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FH MHz Crystal 18.432MHz ±30ppm
FH4800014 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FH MHz Crystal 48MHz ±10ppm
FH4800014 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FH MHz Crystal 48MHz ±10ppm
FH4800014 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FH MHz Crystal 48MHz ±10ppm
FH1200001 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FH MHz Crystal 12MHz ±30ppm
FH1200001 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FH MHz Crystal 12MHz ±30ppm
FH1200001 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FH MHz Crystal 12MHz ±30ppm
FH4000039 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FH MHz Crystal 40MHz ±10ppm
FH4000039 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FH MHz Crystal 40MHz ±10ppm
FH4000039 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FH MHz Crystal 40MHz ±10ppm
FH3200011 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FH MHz Crystal 32MHz ±10ppm
FH3200011 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FH MHz Crystal 32MHz ±10ppm
FH3200011 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FH MHz Crystal 32MHz ±10ppm
FH2400049 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FH MHz Crystal 24MHz ±30ppm
FH2400049 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FH MHz Crystal 24MHz ±30ppm
FH2400049 Diodes晶振 SaRonix-eCera™ FH MHz Crystal 24MHz ±30ppm
TOLL 封裝使用夾式鍵合來實現(xiàn)低封裝電阻和減少寄生封裝電感,使 DMTH8001STLWQ、DMTH10H1M7STLWQ 和 DMTH10H2M5STLWQ 在 10V 柵極驅(qū)動下分別實現(xiàn) 1.3mΩ、1.4mΩ 和 1.68mΩ 的典型導(dǎo)通電阻。此外,低寄生封裝電感提高了電路 EMI 性能。亞陶編碼FQ1200007是一種有著極強耐壓性和微型貼片的石英晶體,常用于數(shù)碼相機和智能手機,ECERA高質(zhì)量晶振

TOLL 封裝的焊料接觸面積比 TO263 大 50%,可實現(xiàn) 0.65°C/W 的結(jié)殼熱阻抗,從而使這些 MOSFET 能夠處理高達 270A 的電流。它們的鍍錫梯形凹槽引線有助于促進自動光學(xué)檢測 (AOI) 程序。這些 MOSFET 符合 AEC-Q101、PPAP 標(biāo)準(zhǔn),并在 IATF 16949 認證設(shè)施中制造。 
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