超小型的8018CG晶振OEM-ODM有源晶振代工代購X1G005601028800，能夠做到持續(xù)成長型的企業(yè)并不多，但偏偏就是這些少數(shù)派里，才有頂尖的技術(shù)以及對(duì)自我的高要求高標(biāo)準(zhǔn)，使得其更加能夠在這個(gè)激烈的市場斗爭之中存活，愛普生公司有著屬于自身的使命感，通過自身的努力不斷造福于人民，同時(shí)也將最優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品呈現(xiàn)給用戶，愛普生公司很高興推出了SG-8018CG晶振，貼片石英晶振編碼X1G005601028800，頻率38.400000兆赫，輸出WaveCMOS，電源電壓1.62 ~ 3.63 V，尺寸(LxWxH)2.50 x 2.00 x 0.80 mm，工作溫度-40至+105°C，頻率公差±50ppm，額外的OptionsN /OSC類型可編程時(shí)鐘OSC，具有良好的穩(wěn)定性能，非常適合用于5G無線模塊，藍(lán)牙模塊，藍(lán)牙彩燈控制模塊，OEM-ODM等領(lǐng)域。

超小型的8018CG晶振OEM-ODM有源晶振代工代購X1G005601028800，愛普生持續(xù)秉承“省、小、精”技術(shù)理念,以綠色科技,為中國用戶提供更多超越期待的有源晶振產(chǎn)品和服務(wù),致力于成為中國消費(fèi)者心中不可或缺的公司。

Product Number	進(jìn)口晶振	Frequency	LxWxH	Output Wave	Supply Voltage	Ope Temperature	Freq. Tol.
X1G005601027700	SG-8018CG	6.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601027800	SG-8018CG	4.608000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601027900	SG-8018CG	33.333333 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601028000	SG-8018CG	2.711860 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601028100	SG-8018CG	36.532540 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601028200	SG-8018CG	42.473240 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601028300	SG-8018CG	66.666700 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601028400	SG-8018CG	90.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601028500	SG-8018CG	13.560000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601028600	SG-8018CG	110.592000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601028700	SG-8018CG	6.553600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601028800	SG-8018CG	38.400000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601028900	SG-8018CG	60.400000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601029000	SG-8018CG	64.800000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601029100	SG-8018CG	28.600000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601029400	SG-8018CG	22.500000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601029500	SG-8018CG	27.500000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601029600	SG-8018CG	150.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601029700	SG-8018CG	7.680000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601029800	SG-8018CG	19.440000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601029900	SG-8018CG	66.600000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G005601030000	SG-8018CG	27.120000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm

石英晶體振蕩器是一種各向異性晶體。它由以特定方位角切割的薄片制成，然后在晶片的相應(yīng)表面上涂有銀。安裝一對(duì)金屬塊作為極板，構(gòu)成石英晶體振蕩器。石英晶體可用作振蕩電路的原因在于其壓電效應(yīng)。當(dāng)在晶片外部的兩個(gè)板之間添加電場時(shí)，晶體將產(chǎn)生機(jī)械變形; 相反，當(dāng)在板之間施加機(jī)械力時(shí)，將在晶體中產(chǎn)生電場。這種現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。

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