晶振系列
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陶瓷霧化片 wuhuapian -
陶瓷晶振 taocijingzhen -
32.768K Clock crystal -
貼片晶振 SMDcrystal -
石英晶振 Quartz Crystal -
聲表面濾波器 Quartz Crystal -
聲表面諧振器 resonator -
陶瓷濾波器 taocilvboqi -
KDS晶振 KDS CRYSTAL -
精工晶振 SEIKO CRYSTAL -
村田晶振 muRata CRYSTAL -
西鐵城晶振 CITIZEN CRYSTAL -
愛普生晶振 EPSON CRYSTAL -
微孔霧化片 微孔霧化片 -
臺灣加高晶體 H.ELE -
進口京瓷晶體 KYOCERA -
日本NDK晶體 進口NDK晶體 -
日本大河晶體 RIVER -
美國CTS晶體 CTS石英晶體 -
臺灣希華晶體 臺灣希華 -
臺灣鴻星晶體 HOSONIC -
臺灣TXC晶體 TXC CRYSTAL -
臺灣泰藝晶體 TAITIEN CRYSTAL -
臺灣亞陶晶體 百利通亞陶 -
臺灣NSK晶體 NSK CRYSTAL -
瑪居禮晶振 臺灣瑪居禮晶振 -
富士晶振 日本富士貼片晶振 -
SHINSUNG晶振 韓國進口SHINSUNG晶振 -
SMI晶振 日本SMI貼片晶振 -
Lihom晶振 韓國Lihom晶振 -
NAKA晶振 日本納卡株式會社晶振 -
AKER晶振 臺灣安碁貼片晶振 -
NKG晶振 NKG石英晶振 -
NJR晶振 日本NJR晶振 -
Sunny晶振 Sunny CRYSTAL -
Statek晶振 Statek貼片晶體 -
Pletronics晶振 Pletronics CRYSTAL -
Jauch晶振 Jauch Crystal -
日蝕晶振 Ecliptek Crystal -
IDT晶振 IDT進口晶振 -
格林雷晶振 Greenray恒溫晶振 -
高利奇晶振 Golledge石英晶體振蕩器 -
維管晶振 Vectron Crystal -
拉隆晶振 Raltron CRYSTAL -
瑞康晶振 Rakon石英晶體 -
康納溫菲爾德晶振 ConnorWinfield Crystal -
ECS晶振 ECS CRYSTAL -
Abracon晶振 Abracon 石英振蕩器 -
CTS晶振 西迪斯晶振 -
SiTime晶振 SiTime可編碼振蕩器 -
微晶晶振 Microcrystal Crystal -
AEK晶振 AEK CRYSTAL -
AEL晶振 AEL CRYSTAL -
Cardinal晶振 Cardinal貼片晶體 -
Crystek晶振 Crystek石英晶振 -
Fox晶振 Fox有源晶振 -
Frequency晶振 Frequency Crystal -
GEYER晶振 GEYER CRYSTAL -
KVG晶振 KVG石英晶體 -
ILSI晶振 ILSI CRYSTAL -
Euroquartz晶振 Euroquartz crystal -
MMDCOMP晶振 MMDCOMP貼片晶振 -
MtronPTI晶振 MtronPTI晶體諧振器 -
QANTEK晶振 QANTEK石英晶振 -
QuartzCom晶振 QuartzCom石英晶體 -
Quarztechnik晶振 Quarztechnik Crystal -
Suntsu晶振 Suntsu石英貼片晶振 -
Transko晶振 Transko crystal -
Wi2Wi晶振 Wi2Wi Crystal -
Rubyquartz晶振 進口Rubyquartz CRYSTAL -
ACT晶振 ACT石英晶振 -
Oscilent晶振 Oscilent CRYSTAL -
ITTI晶振 ITTI石英晶體諧振器 -
MTI-milliren晶振 MTI Crystal -
PDI晶振 PDI CRYSTAL -
IQD晶振 IQD CRYSTAL -
Microchip晶振 Microchip crystal -
Silicon晶振 Silicon Crystal -
安德森晶振 Anderson Crystal -
富通晶振 Fortiming Crystal -
CORE晶振 CORE CRYSTAL -
NIPPON晶振 NIPPON石英晶體振蕩器 -
NIC晶振 NIC Crystal -
QVS晶振 QVS CRYSTAL -
Bomar晶振 Bomar Crystal -
Bliley晶振 Bliley Crystal -
GED晶振 GED CRYSTAL -
FILTRONETICS晶振 FILTRONETICS CRYSTAL -
Standard晶振 Standard Crystal -
Q-Tech晶振 美國Q-Tech晶振 -
Wenzel晶振 Wenzel Crystal -
NEL晶振 美國NEL晶振 -
EM晶振 EM CRYSTAL -
PETERMANN晶振 PETERMANN CRYSTAL -
FCD-Tech晶振 荷蘭晶振FCD-Tech -
HEC晶振 HEC CRYSTAL -
FMI晶振 FMI CRYSTAL -
麥克羅比特晶振 Macrobizes Crystal -
AXTAL晶振 AXTAL CRYSTAL -
ARGO晶振 ARGO晶振公司是專業(yè)提供和設計波段頻率控制設備和微波無線通信零部件.我們還分銷日本,歐洲和美國的一些知名品牌零部件.我們致力于發(fā)展與計算機,IT和無線通信公司無任何界限的信息時代.我們秉承經營者的踏實,誠懇的態(tài)度,互惠互利的精神,實現共贏的目標,以誠信為本,誠信為本,公平交易為宗旨,以誠信,勤勉,誠信,精神質量第一,客戶滿意的經營理念,將以優(yōu)良的產品質量,優(yōu)惠的價格,優(yōu)質的服務與您建立長期穩(wěn)定的合作關系,共創(chuàng)輝煌事業(yè).
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SKYWORKS晶振
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Renesas瑞薩晶振
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貼片石英晶振 SMD CRYSTAL -
貼片陶瓷晶振 SMD 陶振 -
有源晶振 Oscillator -
石英晶體振蕩器 OSC石英晶體振蕩器
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壓控晶振 VCXO進口晶振
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壓控溫補晶振 VC-TCXO CRYSTAL
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恒溫晶振 OCXO有源晶振
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差分晶振 差分石英晶體振蕩器
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數碼產品
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醫(yī)療產品
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汽車產品
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移動產品
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智能家居
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網絡設備
- 規(guī)格型號：11577488
- 頻率：9.840MHZ-50.000MHZ
- 尺寸：3.2*2.5*075mm 詳細資料請查看PDF
- 產品描述：廣泛應用于照相機,藍牙耳機,音響,平板電腦,錄像機,收錄機,無線充電等小型化電子數碼產品。
NDK晶振,貼片晶振,NX3225GA晶振,NDK石英諧振器
NDK晶振,NX3225GA晶振,3225晶振,NDK石英諧振器
參數:頻率范圍9.840MHZ-50.000MHZ
激勵電平: 10μW (Max. 200μW )
負載電容: 8PF
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -40℃~+85℃
精度 +/-20ppm
等效串聯電阻：Refer to*1
尺寸：小型化薄款3.2*2.5*0.75
應用：汽車電子領域,無線電話，筆記本電腦，鍵盤鼠標，智能手機，衛(wèi)星導航等產品。
日本于2015年6月制定了公司治理準則，由此我們NDK迎來了兩位外部董事。加大強化相關經營監(jiān)察機能、遵守法律，確保說明責任，迅速且適當地公布信息，履行環(huán)境保全等的社會責任，而從使我們能繼續(xù)成為所有股份持有者的各位所信任和尊敬的企業(yè)。
在ADAS（先進駕駛輔助系統(tǒng)）所使用的車載相機和倒車雷達、遠程信息處理等用途，晶體元器件的需求也呈現增加的趨勢。因此，我們會開發(fā)TCXO（溫補振蕩器）、ICXO(鐘用晶體振蕩器)、SAW器件等的車載用高信賴性產品并擴大其銷售。
NDK晶振,NX3225GA晶振,3225晶振,NDK石英諧振器，從前面的料號可看出這是一款3.2*2.5*0.75mm體積非常小的石英貼片晶振，并且有著四個腳表面陶瓷封裝的石英晶體，壓電陶瓷的用料可有效的控制溫度，在氣溫忽大忽小的時候能將溫度控制在標準的精度之內，擁有優(yōu)良的耐高溫特性，所以NX3225GA晶振常常用于汽車電子開發(fā)領域，所以也叫汽車電子用晶振。
格參數圖.jpg)
| NDK晶振型號 | NX3225GA晶振,進口貼片晶振 |
| 頻率范圍 | 9.840MHZ~50MHZ |
| 頻率公差(25℃) | ±20 ppm的，可指定 |
| 頻率穩(wěn)定度超過工作溫度范圍 | ±30 ppm的，可指定 |
| 操作溫度范圍 | -40-+ 85℃，可指定 |
| 并聯電容CO | 5pF Max. |
| 驅動電平 | 1-200μW（μW100典型） |
| 負載電容 | 8 pF,可指定 |
| 老化（25℃） | ±3 ppm /年最大。 |
| 存儲溫度范圍 | -40-+85℃ |
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1.操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸石英晶振的表面。
2.使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內使用產品。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
3.激勵功率
在石英晶體諧振器上施加過多驅動力，會導致產品特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 （請參閱“激勵功率”章節(jié)內容）。
4.負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關于振蕩”章節(jié)內容）。
5.負載電容
振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整，可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節(jié)內容）。
1. 驅動能力
驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：
驅動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
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2. 振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
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3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
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頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數設置參考
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數設置參考
深 圳 市 金 洛 電 子 有 限 公 司代理:EPSON,KDS,SEIKO,CITIZEN
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