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晶振系列

首頁進(jìn)口晶振希華晶振,OSC57A晶振,7050晶振,石英晶振

    希華晶振,OSC57A晶振,7050晶振,石英晶振

  • 規(guī)格型號(hào)：94545483
  • 頻率：40.000MHZ-160.000MHZ
  • 尺寸：7.0*5.0*1.5mm 詳細(xì)資料請(qǐng)查看PDF
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  • 產(chǎn)品描述：廣泛應(yīng)用于食品加工設(shè)備,全自動(dòng)包裝設(shè)備,便捷智能環(huán)保設(shè)備,自動(dòng)化儀表,塑料加工儀器,自動(dòng)化制藥機(jī)械等大中型機(jī)器設(shè)備.

希華晶振,OSC57A晶振,7050晶振,石英晶振
參數(shù):頻率范圍40.000MHZ-160.000MHZ
電源電壓: 3.3V
工作溫度: -10℃~+70℃
保存溫度: -40℃~+85℃
精度 ±30ppm,±50ppm,±100ppm,
輸出方式：LVPECL
占空因數(shù)：45~55% at 50%
尺寸：大體積7.0*5.0*1.5
應(yīng)用：電工儀器儀表，水污染防治設(shè)備，光學(xué)儀器，建筑物工程設(shè)備，農(nóng)業(yè)機(jī)械設(shè)備，重型礦山機(jī)械,起重機(jī)械，裝卸設(shè)備等產(chǎn)品。

       希華晶體科技成立于1988年，專精于石英頻率控制元件之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售。從人工晶棒長(zhǎng)成到最終產(chǎn)品，透過最佳團(tuán)隊(duì)組合及先進(jìn)之生產(chǎn)技術(shù)，建立完整的產(chǎn)品線，包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER，以及石英晶體、石英晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補(bǔ)償型及電壓控制型產(chǎn)品等，以健全的供應(yīng)煉系統(tǒng)，為客戶提供全方位的服務(wù)。 
       敏銳地掌握SMD晶振產(chǎn)品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發(fā)展主流，致力于開發(fā)小型化、高頻與光電領(lǐng)域等產(chǎn)品，與日本同業(yè)并駕齊驅(qū)。且深耕微機(jī)電(MEMS)技術(shù)領(lǐng)域，加速導(dǎo)入TF SMD Crystal的量產(chǎn)，藉以擴(kuò)大公司營(yíng)收規(guī)模并且提升獲利空間。 


       希華晶振,OSC57A晶振,7050晶振,石英晶振，是臺(tái)灣進(jìn)口的一款7050mm大體積六腳的石英晶體振蕩器，在如今各種小尺寸的晶振中，此晶振算是比較早期研發(fā)的石英晶振，但比起3225mm，2520mm和2016mm等小型晶體，OSC57A晶振的優(yōu)勢(shì)在于適用中大型的機(jī)械設(shè)備或者各類檢測(cè)儀，40.000-160.000MHZ的高頻率，使其能充分發(fā)揮振動(dòng)功能。

希華晶振型號(hào)/輸出類型 OSC57A晶振,希華有源晶體
晶振類型 OSC振蕩器
輸出方式 LVPECL
振蕩模式 基本/第三泛音
電源電壓 3.3V
頻率范圍 40.000MHZ-160.000MHZ
頻率穩(wěn)定度 ±30ppm,±50ppm,±100ppm
工作溫度  - 10 ~ + 70℃
保存溫度  - 40 ~ + 85℃
電壓卷（最大值）/ VOH（最小值） 0.1 VDD / 0.9 VDD
啟動(dòng)時(shí)間 5 ms Max.
相位抖動(dòng)（12千赫?20兆赫） 1個(gè)PS最大。
老化率 ±3 ppm /年最大。



1.存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1)   在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存石英晶體產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2)   請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
9.安裝時(shí)注意事項(xiàng)
2.耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害貼片晶振。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí)，在安裝條件更改的情況下，請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
3.自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊
自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低，并確保在安裝前未對(duì)產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí)，請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí)，在安裝前后，請(qǐng)確保臺(tái)灣晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。

1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明諧振晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2.Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
 
2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。注意事項(xiàng)-振蕩補(bǔ)償.png
3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
電容特征.png

頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考.png
                           振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

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