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首頁金洛博客 MtronPTI空間級(jí)組件XO5123-060R測試能力

MtronPTI空間級(jí)組件XO5123-060R測試能力

來源：http://xwpc.com.cn 作者：金洛鑫電子 2024年03月16


MtronPTI空間級(jí)組件XO5123-060R測試能力
MtronPTI提供廣泛的精密頻率和頻譜控制解決方案，包括射頻、微波和毫米波濾波器；腔體、晶體、陶瓷、集總元件（LC）和開關(guān)濾波器；高性能和高頻OCXO、集成PLL OCXOs、TCXOs、VCXOs、低抖動(dòng)和惡劣環(huán)境振蕩器和時(shí)鐘；晶體諧振器、集成微波組件（IMA）和最先進(jìn)的固態(tài)功率放大器產(chǎn)品。MtronPTI是一家上市公司（紐約證券交易所:MPTI）。
MtronPTI在衛(wèi)星平臺(tái)和載人飛船方面獲得了超過125項(xiàng)設(shè)計(jì)勝利。憑借支持低地球軌道、中地球軌道和地球同步軌道應(yīng)用的專業(yè)知識(shí)，MtronPTI麥特倫皮晶振公司擁有一支成熟的團(tuán)隊(duì)和久經(jīng)考驗(yàn)的記錄，可以滿足苛刻的空間要求。
隨著對高功率空間級(jí)發(fā)射機(jī)需求的不斷發(fā)展，高功率處理空間級(jí)射頻組件和子組件對任務(wù)的成功至關(guān)重要。由于多重放電等現(xiàn)象，這些在軌道衛(wèi)星上使用的設(shè)備的性能與它們在海平面上的性能有很大不同。一些空間級(jí)應(yīng)用既要求在外層空間的連續(xù)運(yùn)行性能，也要求在進(jìn)入空間期間的性能，即在溫度范圍內(nèi)經(jīng)歷從環(huán)境壓力到1×10-5托的壓力變化以避免電暈放電。石英晶體振蕩器，了解進(jìn)入太空和在軌期間大功率處理射頻組件和子組件的能力對于成功的太空任務(wù)至關(guān)重要。在早期階段檢測潛在風(fēng)險(xiǎn)可以防止災(zāi)難性故障。
除了現(xiàn)有的內(nèi)部測試能力之外1為了測試空間級(jí)組件和射頻組件，MtronPTI晶振廠家投資了Spark3D等模擬工具，以在設(shè)計(jì)過程的早期階段最大限度地提高真空下的功率處理能力。MtronPTI還投資了一個(gè)高空（低壓）試驗(yàn)箱，以支持高功率處理射頻組件和子組件測試。海拔試驗(yàn)箱的加入使MtronPTI能夠在將測試產(chǎn)品暴露在接近1x10的壓力下時(shí)調(diào)節(jié)環(huán)境試驗(yàn)箱的溫度-5托。通過結(jié)合Spark3D模擬和高空測試，MtronPTI提高了任務(wù)成功的概率。
MtronPTI航天級(jí)產(chǎn)品符合美國國家標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)/AIAA S-142-2016《航天器部件中預(yù)防多次放電擊穿的標(biāo)準(zhǔn)/手冊》。
注1 : MtronPTI廣泛的內(nèi)部測試能力包括根據(jù)MIL-STD-202的熱沖擊、方法107根據(jù)MIL-STD-202的端子強(qiáng)度、方法211根據(jù)MIL-STD-202的機(jī)械沖擊、方法213根據(jù)MIL-STD-202的總泄漏測試、方法112根據(jù)MIL-STD-202的隨機(jī)振動(dòng)、方法214A根據(jù)MIL-STD-202的氦氣、方法112根據(jù)MIL-STD-202的正弦振動(dòng)


MtronPTI空間級(jí)組件XO5123-060R測試能力
 
MtronPTI High Power Handling Space Level Component and Sub-Assemblies Design and Testing Capabilities
MtronPTI has over 125 design wins across satellite platforms and manned spacecraft. With expertise supporting LEO, MEO and GEO applications, MtronPTI has a well-established team and a proven track record to meet demanding space requirements.
 
With the evolving need for high-power space-level transmitters, high-power handling space-level RF components and sub-assemblies are instrumental for mission success. The performance of these devices used in orbiting satellites are significantly different compared to how they perform at sea level due to phenomena like multipaction. Some space-level applications require both continuous operation performance in outer space as well as performance during the assent to space, i.e. undergoing a pressure change from ambient to 1 x 10-5 Torr over temperature to avoid corona discharge. Understanding the capability of the high-power handling RF components and sub-assemblies during the assent to space and in orbit is critical for successful space missions. Detecting potential risks at an early stage prevents a catastrophic failure.
 
In addition to existing in-house testing capabilities1 for testing space level components and RF assemblies, MtronPTI has invested in simulation tools like Spark3D™ to maximize power handling capability under vacuum in the early stages of the design process. MtronPTI has also invested in a altitude (hypobaric) chamber to support high power handling RF components and sub-assemblies testing. The incorporation of an altitude test chamber enables MtronPTI to adjust the temperature of the environmental test chamber while exposing the product under test to pressure approaching 1 x 10-5 Torr. By combining Spark3D simulations and altitude testing, MtronPTI enhances the probability of mission success.
 
MtronPTI space-level products comply with ANSI/AIAA S-142-2016, Standard/Handbook for Multipactor Breakdown Prevention in Spacecraft Components.
產(chǎn)品編碼 進(jìn)口晶振 型號(hào) 類型 頻率穩(wěn)定性 頻率（MHz）
XO5123-034R MtronPTI晶振 XO5123 OCXO ±10 ppb 10MHz
XO5123-037R MtronPTI晶振 XO5123 OCXO ±10 ppb 10MHz
XO5123-040R MtronPTI晶振 XO5123 OCXO ±10 ppb 10MHz
XO5123-060R MtronPTI晶振 XO5123 OCXO ±0.6 ppb 40MHz
XO5123-061R MtronPTI晶振 XO5123 OCXO ±5 ppb 10MHz
XO5123-064R MtronPTI晶振 XO5123 OCXO ±10 ppb 10MHz
XO5123-065R MtronPTI晶振 XO5123 OCXO ±0.6 ppb 10MHz
XO5123-070R MtronPTI晶振 XO5123 OCXO ±2 ppb 10MHz
XO2011-001R MtronPTI晶振 XO2011 OCXO ±25 ppb 100MHz
XO2011-004R MtronPTI晶振 XO2011 OCXO ±40 ppb 100MHz
XO2011-005R MtronPTI晶振 XO2011 OCXO ±40 ppb 100MHz
XO5081-013 MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±30 ppb 100MHz
XO5081-025 MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±0.05 ppm 10MHz
XO5081-047R MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±0.5 ppm 80MHz
XO5081-048SR MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±50 ppb 40MHz
XO5081-067 MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±0.2 ppm 100MHz
XO5082-014R MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±140 ppb 10MHz
XO5083-033V MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±20 ppb 10MHz
XO5083-053R MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±10 ppb 10MHz
XO5083-053R MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±10 ppb 10MHz
XO5083-053V MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±10 ppb 10MHz
XO5084-019 石英晶振 XO5080 OCXO ±10 ppb 10MHz
XO5084-031R MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±20 ppb 12.8MHz
XO5084-057SR MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±29 ppb 10MHz
XO5081-015R MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±1 ppm 100MHz
XO5081-047R MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±0.5 ppm 80MHz
XO5081-048SR MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±50 ppb 40MHz
XO5081-062 MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±0.2 ppm 100MHz
XO5081-067R MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±0.2 ppm 100MHz
XO5081-068 MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±0.2 ppm 100MHz
XO5082-016R MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±280 ppb 100MHz
XO5082-020SR MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±0.3 ppm 100MHz
XO5083-020 MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±10 ppb 10MHz
XO5083-028R MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±10 ppb 10MHz
XO5083-046R MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±10 ppb 10MHz
XO5083-051R MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±10 ppb 10MHz
XO5083-052R MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±5 ppb 10MHz
XO5083-059R MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±5 ppb 10MHz
XO5083-064 MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±10 ppb 10MHz
XO5083-067SR MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±20 ppb 10MHz
XO5083-078SR MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±20 ppb 10MHz
XO5083-079SR MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±20 ppb 10MHz
XO5083-081R MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±10 ppb 10MHz
XO5083-104R MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±10 ppb 10MHz
XO5083-106R MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±10 ppb 10MHz
XO5083-108R MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±25 ppb 10MHz
XO5083-113R MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±10 ppb 10MHz
XO5083-114R MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±10 ppb 10MHz
XO5083-118SR MtronPTI晶振 XO5080 OCXO ±20 ppb 10MHz

 

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